日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省將從明年開始，研發(fā)利用納米技術(shù)的耐高壓、超周波的半導(dǎo)體基片。計(jì)劃開發(fā)的下一代技術(shù)擬用氮化合物作半導(dǎo)體的基片，從而開發(fā)新的基片和成膜方法。新基片預(yù)計(jì)比目前基片的周波數(shù)和電壓提高10倍以上。計(jì)劃開發(fā)的半導(dǎo)體基片材料使用的氮化鎵(GaN)和氮化鋁(A1N)，與電力用半導(dǎo)體元件材料碳化硅相比，具有耐高壓和可實(shí)現(xiàn)超周波等優(yōu)點(diǎn)?；哪げ牧蠈⑹褂娩X鎵氮化合物(A1GaN)和銦稼氮化物(InGaN)，基片和膜的結(jié)晶方向統(tǒng)一，將解決結(jié)晶不均的缺點(diǎn)。據(jù)悉，新技術(shù)將利用納米技術(shù)控制結(jié)晶順序排列。這一新計(jì)劃預(yù)計(jì)從明年開始，5年內(nèi)完成，日材料科學(xué)、半導(dǎo)體元件研究單位和大學(xué)等機(jī)構(gòu)將參與研究。項(xiàng)目完成后由企業(yè)繼續(xù)完善，直到2015年前后向市場推出。如果新基片開發(fā)成功，可以使超周波、耐高壓的半導(dǎo)體器件研制突飛猛進(jìn)。這一技術(shù)也將會(huì)廣泛應(yīng)用于汽車混合燃料系統(tǒng)、信息家電以及下一代移動(dòng)末端等各個(gè)領(lǐng)域，使產(chǎn)品小型化、節(jié)能化目標(biāo)得以實(shí)現(xiàn)。經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省測算，僅在變壓器節(jié)能方面，至2030年可節(jié)約300萬升原油。

[此信息未經(jīng)證實(shí)，僅供參考]