日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省將從明年開始，研發(fā)利用納米技術的耐高壓、超周波的半導體基片。計劃開發(fā)的下一代技術擬用氮化合物作半導體的基片，從而開發(fā)新的基片和成膜方法。新基片預計比目前基片的周波數(shù)和電壓提高10倍以上。計劃開發(fā)的半導體基片材料使用的氮化鎵(GaN)和氮化鋁(A1N)，與電力用半導體元件材料碳化硅相比，具有耐高壓和可實現(xiàn)超周波等優(yōu)點?；哪げ牧蠈⑹褂娩X鎵氮化合物(A1GaN)和銦稼氮化物(InGaN)，基片和膜的結晶方向統(tǒng)一，將解決結晶不均的缺點。據(jù)悉，新技術將利用納米技術控制結晶順序排列。這一新計劃預計從明年開始，5年內完成，日材料科學、半導體元件研究單位和大學等機構將參與研究。項目完成后由企業(yè)繼續(xù)完善，直到2015年前后向市場推出。如果新基片開發(fā)成功，可以使超周波、耐高壓的半導體器件研制突飛猛進。這一技術也將會廣泛應用于汽車混合燃料系統(tǒng)、信息家電以及下一代移動末端等各個領域，使產(chǎn)品小型化、節(jié)能化目標得以實現(xiàn)。經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省測算，僅在變壓器節(jié)能方面，至2030年可節(jié)約300萬升原油。

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