65nm技術開發(fā)的FeRAM材料存儲能力高達256Mb
東京理工大學和富士通微電子已經(jīng)聯(lián)合開發(fā)出用于新一代非易失性鐵電隨機存儲器（Ferroelectric Random Access Memory，F(xiàn)eRAM）的材料和工藝技術。 這種改進的鉍、鐵、氧元素的合成材料（BiFeO3或BFO）能使FeRAM設備的數(shù)據(jù)存儲容量提高到現(xiàn)在容量的五倍。
采用65nm工藝技術就可以將存儲容量至少提高到256Mb，工作在1.3V電壓下的功耗是現(xiàn)有產(chǎn)品的一半。
BFO是由鉍、鐵和氧原子構成的具有鈣鈦礦型結構的鐵電材料。目前普遍使用的鐵電材料是鋯鈦酸鉛（PZT或Pb（Zr，Ti）O3），它的電荷存儲能力低，可升級性有限。PZT的技術局限在130nm節(jié)點就會反映出來，因為隨著存儲單元區(qū)的減少，對極化的要求也越來越高。
隨著對BFO的深入開發(fā)，可以實現(xiàn)256Mb的大容量FeRAM，這種FeRAM與現(xiàn)有的1Mb產(chǎn)品相比，密度將會高出兩個等級。密度的提高使得FeRAM的應用將在新的領域（如快速啟動，它使計算機在開機后能夠立刻使用）得到擴展，而不再僅限于在安全應用領域。FeRAM還可以用于電子紙設備，該設備能讓用戶瀏覽和閱讀傳統(tǒng)上印刷在紙張上的大量信息。欲了解更多信息，請訪問http://us.fujitsu.com。
[此信息未經(jīng)證實，僅供參考]
采用65nm工藝技術就可以將存儲容量至少提高到256Mb，工作在1.3V電壓下的功耗是現(xiàn)有產(chǎn)品的一半。
BFO是由鉍、鐵和氧原子構成的具有鈣鈦礦型結構的鐵電材料。目前普遍使用的鐵電材料是鋯鈦酸鉛（PZT或Pb（Zr，Ti）O3），它的電荷存儲能力低，可升級性有限。PZT的技術局限在130nm節(jié)點就會反映出來，因為隨著存儲單元區(qū)的減少，對極化的要求也越來越高。
隨著對BFO的深入開發(fā)，可以實現(xiàn)256Mb的大容量FeRAM，這種FeRAM與現(xiàn)有的1Mb產(chǎn)品相比，密度將會高出兩個等級。密度的提高使得FeRAM的應用將在新的領域（如快速啟動，它使計算機在開機后能夠立刻使用）得到擴展，而不再僅限于在安全應用領域。FeRAM還可以用于電子紙設備，該設備能讓用戶瀏覽和閱讀傳統(tǒng)上印刷在紙張上的大量信息。欲了解更多信息，請訪問http://us.fujitsu.com。
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