高頻、高效、低壓大電流化、標(biāo)準化是開關(guān)電源的發(fā)展趨勢
1在封裝結(jié)構(gòu)上正朝著薄型和超薄型方向發(fā)展
以前標(biāo)準?？斓母叨仁?2.7mm（0.5英寸），最近已下降到9.53mm（0.375英寸），一般客戶要求薄型封裝尺寸為7.5mm（0.295英寸），8.5mm（0.335英寸），10mm（0.394英寸）。外形尺寸趨于國際標(biāo)準化尺寸，多為1/8、1/4、1/2、3/4和全磚式結(jié)構(gòu)，輸出端子相互兼容的設(shè)計日趨明顯。模塊內(nèi)部控制電路傾向于采用數(shù)字控制方式，非隔離式DC/DC變換器比隔離式增長速度快，分布式電源比集中式電源發(fā)展快。
2低電壓大電流化
隨著半導(dǎo)體工藝等級未來十年將從0.18μm向50nm邁進，芯片所需最低電壓最終將變?yōu)?.6V，但輸出電流將朝著大電流方向發(fā)展。據(jù)市場調(diào)查，隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，電源對各種電壓的需求百分率走勢。
可以看出未來用戶所需電源電壓有下降趨勢，估計不久將來1V及1V以下的電源需求量將會有明顯增加。
3高效化
應(yīng)用各種軟開關(guān)技術(shù)，包括無源無損軟開關(guān)技術(shù)、有源軟開關(guān)技術(shù)（如ZVS/ZCS諧振、準諧振）、恒頻零開關(guān)技術(shù)、零電壓、零電流轉(zhuǎn)換技術(shù)及目前同步整流用MOSFET代替整流二極管都能大大地提高模塊在低輸出電壓時的效率，而效率的提高使得敞開式無散熱器的電源模塊有了實現(xiàn)的可能。這類模塊是當(dāng)今世界模塊發(fā)展的潮流，必將得到廣泛應(yīng)用。隨著器件性能的改變，電源效率即將達到92％（5V）、90％（3.3V）、87.5％（2V）。
4大電流和高密度化
1991年高功率密度定義為每立方英寸輸出功率25W，以后逐年增加，1994年為每立方英寸36W，1999年為每立方英寸52W，到2001年為每立方英寸96W，現(xiàn)在每立方英寸達數(shù)百W。在全球范圍內(nèi)高功率密度直流轉(zhuǎn)換模塊市場以每年16.8％的增長速度向前發(fā)展。輸出電流將增長到半磚80A、1/4磚50A。目前，日本TDK公司推出新一代分布式隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器，其參數(shù)為1/4磚輸入電壓42V～58V、輸出電壓12V、輸出電流27A、效率為95％，功率密度已達每立方英寸236W；1/8磚輸入電壓42V～58V、輸出電壓12V、輸出電流13.5A、效率為95％，功率密度已達每立方英寸214W。
5高頻化
為了縮小開關(guān)電源的體積，提高電源的功率密度并改善動態(tài)響應(yīng)，小功率DC/DC變換器的開關(guān)頻率已由現(xiàn)在的200kHz～500kHz提高到1MHz以上，但高頻化又會產(chǎn)生新的問題，如開關(guān)損耗以及無源元件的損耗增大，高頻寄生參數(shù)的影響以及高頻電磁干擾增大等。
以前標(biāo)準?？斓母叨仁?2.7mm（0.5英寸），最近已下降到9.53mm（0.375英寸），一般客戶要求薄型封裝尺寸為7.5mm（0.295英寸），8.5mm（0.335英寸），10mm（0.394英寸）。外形尺寸趨于國際標(biāo)準化尺寸，多為1/8、1/4、1/2、3/4和全磚式結(jié)構(gòu)，輸出端子相互兼容的設(shè)計日趨明顯。模塊內(nèi)部控制電路傾向于采用數(shù)字控制方式，非隔離式DC/DC變換器比隔離式增長速度快，分布式電源比集中式電源發(fā)展快。
2低電壓大電流化
隨著半導(dǎo)體工藝等級未來十年將從0.18μm向50nm邁進，芯片所需最低電壓最終將變?yōu)?.6V，但輸出電流將朝著大電流方向發(fā)展。據(jù)市場調(diào)查，隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，電源對各種電壓的需求百分率走勢。
可以看出未來用戶所需電源電壓有下降趨勢，估計不久將來1V及1V以下的電源需求量將會有明顯增加。
3高效化
應(yīng)用各種軟開關(guān)技術(shù)，包括無源無損軟開關(guān)技術(shù)、有源軟開關(guān)技術(shù)（如ZVS/ZCS諧振、準諧振）、恒頻零開關(guān)技術(shù)、零電壓、零電流轉(zhuǎn)換技術(shù)及目前同步整流用MOSFET代替整流二極管都能大大地提高模塊在低輸出電壓時的效率，而效率的提高使得敞開式無散熱器的電源模塊有了實現(xiàn)的可能。這類模塊是當(dāng)今世界模塊發(fā)展的潮流，必將得到廣泛應(yīng)用。隨著器件性能的改變，電源效率即將達到92％（5V）、90％（3.3V）、87.5％（2V）。
4大電流和高密度化
1991年高功率密度定義為每立方英寸輸出功率25W，以后逐年增加，1994年為每立方英寸36W，1999年為每立方英寸52W，到2001年為每立方英寸96W，現(xiàn)在每立方英寸達數(shù)百W。在全球范圍內(nèi)高功率密度直流轉(zhuǎn)換模塊市場以每年16.8％的增長速度向前發(fā)展。輸出電流將增長到半磚80A、1/4磚50A。目前，日本TDK公司推出新一代分布式隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器，其參數(shù)為1/4磚輸入電壓42V～58V、輸出電壓12V、輸出電流27A、效率為95％，功率密度已達每立方英寸236W；1/8磚輸入電壓42V～58V、輸出電壓12V、輸出電流13.5A、效率為95％，功率密度已達每立方英寸214W。
5高頻化
為了縮小開關(guān)電源的體積，提高電源的功率密度并改善動態(tài)響應(yīng)，小功率DC/DC變換器的開關(guān)頻率已由現(xiàn)在的200kHz～500kHz提高到1MHz以上，但高頻化又會產(chǎn)生新的問題，如開關(guān)損耗以及無源元件的損耗增大，高頻寄生參數(shù)的影響以及高頻電磁干擾增大等。
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