談談我國硅基微電子技術的發(fā)展現(xiàn)狀
近幾年，在國家相關政策的大力支持下，國內(nèi)硅基微電子技術水平不斷提高，與國際先進水平的距離逐漸縮小。總體來看，當前我國硅基微電子技術有以下特點。
?。?） 超深亞微米集成技術研究逐漸接近國際先進水平。由于多方面的原因，我國在這一領域的研究工作長期處于劣勢，不能與國際先進水平相提并論。在“863”等項目的支持下，清華、北大、中科院微電子所和半導體所等微電子基礎條件較好的單位率先開展了面向超深亞微米集成技術的研究，在新型器件結構和器件模型等方面的研究取得了一定的進展（詳見王陽元，黃如等，《面向產(chǎn)業(yè)需求的21世紀微電子技術的發(fā)展》）；中科院微電子所在國內(nèi)首次完成了亞30nmCMOS器件及關鍵工藝技術研究，研制完成27nmCMOS器件，在指標方面已與國際先進研究成果具有同步性，為我國微電子向亞50nm集成技術的發(fā)展奠定了技術基礎。
（2） 集成電路設計水平提高，規(guī)模增大。經(jīng)過近幾年的發(fā)展，芯片設計水平明顯提高，目前我國自主設計的芯片產(chǎn)品已涉及CPU、數(shù)字信號處理器、高檔IC卡、數(shù)字電視和多媒體、3G手機以及信息安全等六大領域。IC設計水平達到0.13μm，具有自主知識產(chǎn)權的核心芯片的開發(fā)及其產(chǎn)業(yè)化也取得了可觀的突破。逐漸從以往的“低端模仿”走向以技術創(chuàng)新為主的“高端替代”。在這方面中星微電子公司比較有代表性，該公司在其計算機圖像輸入芯片中首次采用了自主創(chuàng)新的電路結構，明顯降低了產(chǎn)品功耗，目前該系列芯片已經(jīng)占據(jù)了全球一半以上的市場份額，中星微電子的手機音視頻芯片也被三星、波導和聯(lián)想等眾多手機制造商采用，正是在技術上的領先打破了飛利浦等海外巨頭的技術壟斷，使“中國制造”的芯片產(chǎn)品走向了國際市場。目前我國專門從事IC設計的公司現(xiàn)在已達到500多家，其中有四家上市公司，從業(yè)人員2萬多人，這說明我國已經(jīng)具備了開展IC設計的基本軟硬件環(huán)境，再集中精力發(fā)展幾年，是有希望趕上世界先進水平的。
（3） 微電子材料和基礎制造設備研究進步明顯。在微電子單晶材料的制造設備方面，達到了國內(nèi)主流工藝水平的要求，接近國際先進水平；第三代寬禁帶化合物半導體材料的研究與國際先進水平基本保持同步；微電子關鍵制造設備的研究取得了突破性的進展。
總之，微電子技術是當代科學技術中發(fā)展速度最快的技術之一，由于我國的微電子技術與國際先進水平差距較大，要在短期內(nèi)趕上或超過是很不現(xiàn)實的。日本人很善于引進國外技術，然后學習，模仿，創(chuàng)新。即便如此，他們也用了將近20年時間才達到國際先進水平。我們應該吸取日本在這方面的成功經(jīng)驗，盡量縮短這一過程，爭取盡早達到世界先進水平。
?。?） 超深亞微米集成技術研究逐漸接近國際先進水平。由于多方面的原因，我國在這一領域的研究工作長期處于劣勢，不能與國際先進水平相提并論。在“863”等項目的支持下，清華、北大、中科院微電子所和半導體所等微電子基礎條件較好的單位率先開展了面向超深亞微米集成技術的研究，在新型器件結構和器件模型等方面的研究取得了一定的進展（詳見王陽元，黃如等，《面向產(chǎn)業(yè)需求的21世紀微電子技術的發(fā)展》）；中科院微電子所在國內(nèi)首次完成了亞30nmCMOS器件及關鍵工藝技術研究，研制完成27nmCMOS器件，在指標方面已與國際先進研究成果具有同步性，為我國微電子向亞50nm集成技術的發(fā)展奠定了技術基礎。
（2） 集成電路設計水平提高，規(guī)模增大。經(jīng)過近幾年的發(fā)展，芯片設計水平明顯提高，目前我國自主設計的芯片產(chǎn)品已涉及CPU、數(shù)字信號處理器、高檔IC卡、數(shù)字電視和多媒體、3G手機以及信息安全等六大領域。IC設計水平達到0.13μm，具有自主知識產(chǎn)權的核心芯片的開發(fā)及其產(chǎn)業(yè)化也取得了可觀的突破。逐漸從以往的“低端模仿”走向以技術創(chuàng)新為主的“高端替代”。在這方面中星微電子公司比較有代表性，該公司在其計算機圖像輸入芯片中首次采用了自主創(chuàng)新的電路結構，明顯降低了產(chǎn)品功耗，目前該系列芯片已經(jīng)占據(jù)了全球一半以上的市場份額，中星微電子的手機音視頻芯片也被三星、波導和聯(lián)想等眾多手機制造商采用，正是在技術上的領先打破了飛利浦等海外巨頭的技術壟斷，使“中國制造”的芯片產(chǎn)品走向了國際市場。目前我國專門從事IC設計的公司現(xiàn)在已達到500多家，其中有四家上市公司，從業(yè)人員2萬多人，這說明我國已經(jīng)具備了開展IC設計的基本軟硬件環(huán)境，再集中精力發(fā)展幾年，是有希望趕上世界先進水平的。
（3） 微電子材料和基礎制造設備研究進步明顯。在微電子單晶材料的制造設備方面，達到了國內(nèi)主流工藝水平的要求，接近國際先進水平；第三代寬禁帶化合物半導體材料的研究與國際先進水平基本保持同步；微電子關鍵制造設備的研究取得了突破性的進展。
總之，微電子技術是當代科學技術中發(fā)展速度最快的技術之一，由于我國的微電子技術與國際先進水平差距較大，要在短期內(nèi)趕上或超過是很不現(xiàn)實的。日本人很善于引進國外技術，然后學習，模仿，創(chuàng)新。即便如此，他們也用了將近20年時間才達到國際先進水平。我們應該吸取日本在這方面的成功經(jīng)驗，盡量縮短這一過程，爭取盡早達到世界先進水平。
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