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碳化硅晶圓技術(shù)突破4寸晶圓

分類：行業(yè)資訊 日期：2007-06-26 00:00:00 來源：
據(jù)稱，該公司新開發(fā)出的碳化硅（SiC）晶圓能夠承受比普通硅晶圓高10倍的電壓，熱導(dǎo)率也要高出3倍。
碳化硅化和物是在2,400攝氏度甚至更高的溫度下通過材料再結(jié)晶制備的。由于質(zhì)量控制難度較高，當(dāng)前還只能生產(chǎn)直徑為2至3寸的SiC晶圓，主要用于科研。
Nippon Steel表示其在溫度控制等方面取得的技術(shù)突破使得生產(chǎn)4寸SiC晶圓成為可能，這一尺寸的晶圓已可用于實(shí)際的半導(dǎo)體生產(chǎn)線.

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