東芝和IBM將聯(lián)合開發(fā)32nm Bulk CMOS工藝
美國IBM和東芝宣布，已就聯(lián)合開發(fā)32nm Bulk CMOS工藝達成協(xié)議。
兩公司從2005年12月起，一直在位于美國紐約州約克城（Yorktown）和奧爾巴尼（Albany）的研究設(shè)施內(nèi)，共同推進32nm以后的半導(dǎo)體工藝基礎(chǔ)研究。根據(jù)此次的協(xié)議，兩公司將以此前的基礎(chǔ)研究成果為基礎(chǔ)，把聯(lián)合開發(fā)對象拓展至32nm Bulk CMOS工藝上。
根據(jù)協(xié)議，東芝將加入目前IBM及其合作企業(yè)共6家公司設(shè)在美國紐約州East Fishkill的、32nm Bulk CMOS工藝聯(lián)合開發(fā)聯(lián)盟中。
東芝的齊藤升三（高級常務(wù)執(zhí)行董事半導(dǎo)體公司社長）表示，“東芝繼與IBM的聯(lián)合進行基礎(chǔ)研究之后，還將作為全球主要SoC廠商成立的聯(lián)合開發(fā)小組成員，推進32nm Bulk CMOS工藝的開發(fā)。同時，將加速東芝Advanced Micro-Electronics Center推進的32nm量產(chǎn)工藝開發(fā)，目標(biāo)是早日實現(xiàn)最尖端元件的量產(chǎn)”。
兩公司從2005年12月起，一直在位于美國紐約州約克城（Yorktown）和奧爾巴尼（Albany）的研究設(shè)施內(nèi)，共同推進32nm以后的半導(dǎo)體工藝基礎(chǔ)研究。根據(jù)此次的協(xié)議，兩公司將以此前的基礎(chǔ)研究成果為基礎(chǔ)，把聯(lián)合開發(fā)對象拓展至32nm Bulk CMOS工藝上。
根據(jù)協(xié)議，東芝將加入目前IBM及其合作企業(yè)共6家公司設(shè)在美國紐約州East Fishkill的、32nm Bulk CMOS工藝聯(lián)合開發(fā)聯(lián)盟中。
東芝的齊藤升三（高級常務(wù)執(zhí)行董事半導(dǎo)體公司社長）表示，“東芝繼與IBM的聯(lián)合進行基礎(chǔ)研究之后，還將作為全球主要SoC廠商成立的聯(lián)合開發(fā)小組成員，推進32nm Bulk CMOS工藝的開發(fā)。同時，將加速東芝Advanced Micro-Electronics Center推進的32nm量產(chǎn)工藝開發(fā)，目標(biāo)是早日實現(xiàn)最尖端元件的量產(chǎn)”。
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