Ramtron針對智能動力傳動應(yīng)用的4Kb F-RAM存儲器
Ramtron宣布擴展其+125℃汽車F-RAM存儲器產(chǎn)品線陣容，F(xiàn)M25L04-GA這款3V、4Kb并具有串行外設(shè)接口(SPI)的F-RAM器件現(xiàn)符合Grade 1 AEC-Q100的規(guī)范要求，可在-40℃至+125℃的汽車工作溫度范圍內(nèi)工作，并確保在極端溫度條件下保存數(shù)據(jù)達9,000小時。
FM25L04-GA現(xiàn)已用于需要F-RAM經(jīng)常及快速地保存數(shù)據(jù)的先進動力傳動系統(tǒng)中，使變速度箱能夠連續(xù)適應(yīng)不斷變化的駕駛者行為和路面狀況。F-RAM的No Delay(無延遲)寫入、幾乎無限次的讀寫以及高速的SPI接口，為其帶來獨特的優(yōu)勢，能夠在這及其它先進汽車應(yīng)用中以最大的總線速度可靠地寫入數(shù)據(jù)。
Ramtron戰(zhàn)略市場拓展經(jīng)理Duncan Bennett稱：在乘客艙內(nèi)和引擎罩下的智能汽車應(yīng)用中，Ramtron 的F-RAM存儲技術(shù)已成為主流的存儲器技術(shù)。Ramtron正在擴展其Grade 1汽車器件產(chǎn)品系列，以滿足世界各地汽車制造商不同的要求。
FM25L04-GA是完全符合業(yè)界標準的SPI接口4Kb非易失性存儲器，提升了F-RAM技術(shù)的高速寫入能力。這款Grade 1 FRAM器件是同等EEPROM產(chǎn)品的直接硬件替代產(chǎn)品，但功能更強，具有高速的寫入能力、幾乎無限次的擦寫，以及低工作電流。FM25L04-GA可以在高達10MHz的總線速度下進行讀寫操作，并具有先進的寫保護方案以防止意外的寫入與數(shù)據(jù)損壞。在+125℃時保證數(shù)據(jù)保存9,000小時，在55℃時數(shù)據(jù)更可保存17年，在汽車溫度范圍內(nèi)并以3.0V電壓運行。該產(chǎn)品采用綠色環(huán)保的8腳SOIC封裝。
FM25L04-GA現(xiàn)已用于需要F-RAM經(jīng)常及快速地保存數(shù)據(jù)的先進動力傳動系統(tǒng)中，使變速度箱能夠連續(xù)適應(yīng)不斷變化的駕駛者行為和路面狀況。F-RAM的No Delay(無延遲)寫入、幾乎無限次的讀寫以及高速的SPI接口，為其帶來獨特的優(yōu)勢，能夠在這及其它先進汽車應(yīng)用中以最大的總線速度可靠地寫入數(shù)據(jù)。
Ramtron戰(zhàn)略市場拓展經(jīng)理Duncan Bennett稱：在乘客艙內(nèi)和引擎罩下的智能汽車應(yīng)用中，Ramtron 的F-RAM存儲技術(shù)已成為主流的存儲器技術(shù)。Ramtron正在擴展其Grade 1汽車器件產(chǎn)品系列，以滿足世界各地汽車制造商不同的要求。
FM25L04-GA是完全符合業(yè)界標準的SPI接口4Kb非易失性存儲器，提升了F-RAM技術(shù)的高速寫入能力。這款Grade 1 FRAM器件是同等EEPROM產(chǎn)品的直接硬件替代產(chǎn)品，但功能更強，具有高速的寫入能力、幾乎無限次的擦寫，以及低工作電流。FM25L04-GA可以在高達10MHz的總線速度下進行讀寫操作，并具有先進的寫保護方案以防止意外的寫入與數(shù)據(jù)損壞。在+125℃時保證數(shù)據(jù)保存9,000小時，在55℃時數(shù)據(jù)更可保存17年，在汽車溫度范圍內(nèi)并以3.0V電壓運行。該產(chǎn)品采用綠色環(huán)保的8腳SOIC封裝。
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