聯(lián)電45納米SRAM芯片明年試生產(chǎn)
聯(lián)電已突破關(guān)鍵的45納米工藝障礙，生產(chǎn)出了單元尺寸小于0.25平方微米的SRAM芯片。聯(lián)電計劃明年試生產(chǎn)45納米芯片。該公司表示，與其65納米工藝相比，新式45納米工藝的6晶體管SRAM單元尺寸縮小了50%，性能提高了30%.隨著芯片設(shè)計師的注意力轉(zhuǎn)向45納米，他們將需要解決設(shè)計規(guī)范縮小30%的問題。他們還必須面對多種工藝變化，并磋商棘手的制造缺陷。定時、功率、信號完整性、漏電流、熱梯度和可靠性問題也將繼續(xù)存在。象臺積電一樣，聯(lián)電也采用了193納米沉浸光刻掃描儀。
聯(lián)電表示，該芯片采用聯(lián)電獨立發(fā)展的邏輯制程，在12層重要層中使用復(fù)雜的浸潤式微影術(shù)，并且結(jié)合超淺接點技術(shù)、遷移率提升技術(shù)以及超低介電值技術(shù)(k=2.5)。因為便攜式電子產(chǎn)品對節(jié)省電源的需求日益提升，最低限度的電壓供給功能對45納米制程來說非常重要。除此之外，透過使用測試工具上內(nèi)建的選擇性電路，更可以將最低限度電壓供給提升至最佳狀態(tài)。聯(lián)電的65納米制程目前已有客戶采用，45納米制程的研發(fā)則于該公司在南科的12寸晶圓廠進(jìn)行。迄今為止，已有數(shù)家廠商披露了各自的45納米工藝的細(xì)節(jié)，包括英特爾、IBM、臺積電和德州儀器等。臺灣地區(qū)方面除聯(lián)電外，臺積電也表示45納米工藝浸潤式微影技術(shù)缺陷密度目前已達(dá)到零，最快下半年進(jìn)入投產(chǎn)。日前特許半導(dǎo)體、IBM、三星電子(Samsung Electronics)與英飛凌(Infineon)更聯(lián)合宣布，位于IBM紐約12寸晶圓廠制造的第一款45納米工藝芯片已進(jìn)入tape out，三星電子更表示同步在自家12寸廠導(dǎo)入45納米工藝，準(zhǔn)備提前迎接45納米工藝時代的來臨。而特許半導(dǎo)體受惠結(jié)盟效應(yīng)，技術(shù)藍(lán)圖也大幅逼近臺積電?！?
[此信息未經(jīng)證實，僅供參考]
聯(lián)電表示，該芯片采用聯(lián)電獨立發(fā)展的邏輯制程，在12層重要層中使用復(fù)雜的浸潤式微影術(shù)，并且結(jié)合超淺接點技術(shù)、遷移率提升技術(shù)以及超低介電值技術(shù)(k=2.5)。因為便攜式電子產(chǎn)品對節(jié)省電源的需求日益提升，最低限度的電壓供給功能對45納米制程來說非常重要。除此之外，透過使用測試工具上內(nèi)建的選擇性電路，更可以將最低限度電壓供給提升至最佳狀態(tài)。聯(lián)電的65納米制程目前已有客戶采用，45納米制程的研發(fā)則于該公司在南科的12寸晶圓廠進(jìn)行。迄今為止，已有數(shù)家廠商披露了各自的45納米工藝的細(xì)節(jié)，包括英特爾、IBM、臺積電和德州儀器等。臺灣地區(qū)方面除聯(lián)電外，臺積電也表示45納米工藝浸潤式微影技術(shù)缺陷密度目前已達(dá)到零，最快下半年進(jìn)入投產(chǎn)。日前特許半導(dǎo)體、IBM、三星電子(Samsung Electronics)與英飛凌(Infineon)更聯(lián)合宣布，位于IBM紐約12寸晶圓廠制造的第一款45納米工藝芯片已進(jìn)入tape out，三星電子更表示同步在自家12寸廠導(dǎo)入45納米工藝，準(zhǔn)備提前迎接45納米工藝時代的來臨。而特許半導(dǎo)體受惠結(jié)盟效應(yīng)，技術(shù)藍(lán)圖也大幅逼近臺積電?！?
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