芯原公司和SoC嵌入式內(nèi)存解決方案供應商MoSys日前宣布，雙方正在合作通過向芯原的客戶提供無縫式的專利技術利用，以進一步拓展MoSys 1T-SRAM技術的采用。
　　根據(jù)雙方達成的合作協(xié)議，芯原將把1T-SRAM能力納入其知識產(chǎn)權(IP)產(chǎn)品組合當中，用于客戶在多個代工廠的系統(tǒng)芯片(SOC)設計。
　　在這種合作關系下，客戶目前有權選擇與芯原直接合作來把MoSys的創(chuàng)新型內(nèi)存技術整合進他們的設計當中，這些設計涉及眾多代工廠的選擇以及高級加工工藝(如90納米)。通過利用MoSys已獲得專利的1T-SRAM超高密度內(nèi)存產(chǎn)品，客戶能夠大大降低他們的硅成本，同時維持高性能和低功耗。
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