來自美國加州大學亨利·薩繆理工程和應用科學分院， 美國普渡大學和IBM公司的研究人員最近成功開發(fā)出了一種采用硅鍺半導體材料制成的納米線，采用這種技術，科學家們可以開發(fā)出尺寸更小的微電子設備。這種 硅鍺材料納米線的直徑可控制在數(shù)十至數(shù)百納米之間，長度則可達數(shù)微米。研究者可以以這種技術為基礎，研發(fā)出更高性能的高速電子設備。

　　該技術的研發(fā)團隊展示了幾種原子級尺寸的，采用不同的硅鍺材料制成的分層結構納米線，這種納米線可以有效地傳輸電荷。研發(fā)人員展示的這種納米線其接口尺寸可以做到僅有一個原子大小，而過去，阻礙人們制作超小尺寸納米線的障礙主要是有關技術的解像度不足。

　　美國加州大學的教授，該技術的研發(fā)者之一Suneel Kodambaka表示，硅鍺半導體材料納米線技術不僅可被用于半導體應用，而且在汽車，熱電領域也有較為廣闊的發(fā)展前景。

　　研發(fā)人員表示，研發(fā)小組的下一步工作計劃是采用類似的技術制造出尺寸更大一點的納米線，以便將這種納米線與常規(guī)的納米線的電性能進行比對。