美國Rice大學(xué)宣布研發(fā)出全球第1個僅需兩個端點的存儲器芯片技術(shù)，并可使用最普通的矽原料。此技術(shù)除可容易應(yīng)用至現(xiàn)有的半導(dǎo)體制程外，更可望幫助摩爾定律(Moore’sLaw)繼續(xù)延伸。

　　Rice大學(xué)化學(xué)教授JamesTour及研究生JunYao研發(fā)出制造半導(dǎo)體存儲器電路的新方法。首先，將1個二氧化矽層夾于兩個純矽層中間，通過電流，二氧化矽的氧原子將被分離出來，形成1個奈米大小的矽晶體鏈。當矽晶體鏈產(chǎn)生后，透過兩端極小的電極施加電壓，便能改變矽晶體鏈成為連通或中斷的狀態(tài)，形成1個和普通晶體管相同、紀錄資料有無的開關(guān)。

　　由于矽晶體鏈僅需2個端點，而不像普通晶體管需要3個，將能增加容量、減少體積，并能以三維陣列堆疊。Tour稱矽晶體鏈能縮小至5奈米，適用10奈米以下的制程。

　　此外，藉由在網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)上放置數(shù)千個矽晶體鏈，芯片每單位空間的儲存容量將大幅超越一般的快閃存儲器。Tour表示，采用此種新方法，每平方公分容量將能達到1兆位元，

　　此技術(shù)的最佳優(yōu)點在于，由于新方法采用二氧化矽而非其它較不被廣泛了解的元素，將能使此種新方法容易應(yīng)用至現(xiàn)今的半導(dǎo)體工廠，同時，此方法也相當簡易。Tour表示，半導(dǎo)體業(yè)者不需要了解任何的新技術(shù)。

　　此外，Tour指出制造晶體鏈的物質(zhì)并非一定要采用矽，幾乎任何金屬都行。其它發(fā)現(xiàn)還包括采用新方法制成的電路較傳統(tǒng)快閃存儲器更能抗拒能量輻射造成的影響。

　　目前Tour實驗室與德州公司PrivaTran合作，PrivaTran正測試使用該方法設(shè)計的芯片，下一步將擴增規(guī)模。Tour表示，寄望此方法能成為快閃存儲器遭遇發(fā)展瓶頸后的候選新技術(shù)。