賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 7 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴充其TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiS443DN在-10V和-4.5V柵極驅(qū)動下具有業(yè)內(nèi)較低的導(dǎo)通電阻，是首款-40V P溝道Gen III器件;SiSS27DN是首款采用PowerPAK 1212-8S封裝的-30V MOSFET。

　　SiS443DN和SiSS27DN適用于24V、19V和12V負載開關(guān)，以及移動計算、智能手機和平板電腦中電源管理等各種應(yīng)用的適配器和電池開關(guān)。這些器件的低導(dǎo)通電阻在業(yè)內(nèi)領(lǐng)先，使設(shè)計者能夠在電路里實現(xiàn)更低的壓降，更有效地使用能源，并延長電池使用時間。

　　在需要更高電壓的應(yīng)用里，3.3mm x 3.3mm PowerPAK 1212-8封裝的-40V SiS443DN提供11.7mΩ(-10V)和16mΩ(-4.5V)的最高導(dǎo)通電阻。在導(dǎo)通電阻非常重要的場合，SiSS27DN提供了極低的5.6mΩ(-10V)和9mΩ (-4.5V)導(dǎo)通電阻，采用高度0.75mm的PowerPAK 1212-8S封裝。

　　SiS443DN和SiSS27DN進行了100%的Rg和UIS測試。MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2011/65/EU

　　VISHAY簡介

　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1000 強企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。

　　TrenchFET®和PowerPAK®是Siliconix公司的注冊商標。

　　新聞聯(lián)系人：

　　VISHAY

　　張艷(Chris Zhang)

　　地址：上海市淮海西路 55 號 申通信息廣場 15 樓 D 座

　　電話：(8621)52585000-6072

　　傳真：(8621)52587979

　　Email：chris.zhang@vishay.com

　　仁治時代信息咨詢(北京)有限公司

　　喬治(George Qiao)

　　地址：北京市朝陽區(qū)關(guān)東店南街2號旺座中心東塔715室，郵編：100020

　　電話：(8610)52078015/8016

　　傳真：(8610)52078017

　　Email：George.qiao@geomatrixpr.com