中外合作提升我國芯片產(chǎn)業(yè)制造能力
國家“十二五”科技創(chuàng)新成就展日前在北京展覽館閉幕,本次展覽集中展示了五年來科技創(chuàng)新改革取得的新進展和新成果,吸引了大批觀眾到現(xiàn)場參觀體驗。
自“創(chuàng)新驅動發(fā)展”戰(zhàn)略提出以來,中國創(chuàng)新步伐持續(xù)加快,經(jīng)濟增長的科技含量不斷提升。這其中既有科研人員獨立自主研發(fā)的先進技術,也有通過國際合作產(chǎn)出的豐碩成果?!笆濉笨萍紕?chuàng)新成就展上,在集成電路和芯片制造領域,中外合作的優(yōu)秀成果就引起了眾多關注。
《國家創(chuàng)新驅動發(fā)展戰(zhàn)略綱要》中明確指出,要實施重大科技項目和工程,實現(xiàn)重點跨越。攻克高端通用芯片、集成電路裝備等方面的關鍵核心技術,形成若干戰(zhàn)略性技術和戰(zhàn)略性產(chǎn)品,培育新興產(chǎn)業(yè)。此次“十二五”科技創(chuàng)新成就展上,中芯國際集成電路制造有限公司展出了中國大陸首款28納米量產(chǎn)芯片產(chǎn)品,這款名為“驍龍410”的芯片產(chǎn)品主要應用于智能手機,使用了中芯國際與美國高通公司聯(lián)合研發(fā)的28納米制程工藝的先進晶圓技術。新技術提升了企業(yè)的制造能力,滿足了不斷發(fā)展的國內外市場需求。
據(jù)了解,美國高通公司是全球無線技術的領軍企業(yè),也是全球最大的無晶圓廠半導體設計公司,其驍龍?zhí)幚砥鲗橐苿咏K端而設計。中芯國際很早之前就與高通合作,并于2014年7月宣布聯(lián)合發(fā)展28納米制程工藝的先進晶圓技術;2015年6月,中芯國際、華為、比利時微電子研究中心(imec)與高通一同宣布共同投資中芯國際集成電路新技術研發(fā)(上海)有限公司,主要面向下一代14納米先進工藝制程的研發(fā)。這一系列合作協(xié)議的簽訂和合作關系的建立,改變了我國在芯片制造和集成電路領域的落后局面,大幅提升了產(chǎn)業(yè)制造能力,并將進一步完善中國整體芯片加工產(chǎn)業(yè)鏈。
美國高通公司總裁德里克·阿博利與中芯國際董事長周子學在用采用中芯國際生產(chǎn)的驍龍芯片的智能手機通話
“十三五”規(guī)劃指出,“發(fā)揮科技創(chuàng)新在全面創(chuàng)新中的引領作用,加強基礎研究,強化原始創(chuàng)新、集成創(chuàng)新和引進消化吸收再創(chuàng)新,著力增強自主創(chuàng)新能力,為經(jīng)濟社會發(fā)展提供持久動力?!苯院?,由于國內外各種原因,我國屢次與科技革命失之交臂,錯失了發(fā)展的良好機遇。處于國際分工價值鏈條的中低端環(huán)節(jié)、經(jīng)濟依靠勞動密集型和資源密集型產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀,使得中國在對外經(jīng)濟合作中付出了高昂的資源和環(huán)境代價。加快提升對外開放合作層次,向創(chuàng)新環(huán)節(jié)延伸,在更高層次上參與國際資源配置和國際產(chǎn)業(yè)分工合作,既是國內經(jīng)濟轉型發(fā)展的現(xiàn)實需要,也是應對國際分工格局深層次調整的迫切要求。
經(jīng)過新中國成立以來特別是改革開放以來不懈努力,我國科技發(fā)展取得舉世矚目的偉大成就,科技整體能力持續(xù)提升,一些重要領域方向躋身世界先進行列,某些前沿方向開始進入并行、領跑階段,正處于從量的積累向質的飛躍、點的突破向系統(tǒng)能力提升的重要時期。
事實證明,創(chuàng)新是引領發(fā)展的重要動力,創(chuàng)新也可以成為國際合作的新增長點。據(jù)統(tǒng)計,目前中國已與156個國家和地區(qū)建立了科技合作,加入了200多個政府間科技合作組織。在全球視野謀劃下,通過國際合作推動科技創(chuàng)新,必將成為創(chuàng)新驅動中國的重要實踐渠道,帶領我國經(jīng)濟社會發(fā)展不斷前行。
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