賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 10 月20 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET®功率MOSFET所用的MICRO FOOT®封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級(jí)器件最高可減少36%，而導(dǎo)通電阻則與之相當(dāng)甚至更低。

Si8802DB和Si8805EDB可用于手持設(shè)備中的負(fù)載切換，包括智能手機(jī)、平板電腦、便攜式媒體播放器和移動(dòng)計(jì)算設(shè)備。在這些應(yīng)用中，MOSFET的0.357mm超薄身材能夠節(jié)約寶貴的電路板空間，實(shí)現(xiàn)更小、更薄的移動(dòng)產(chǎn)品。

今天發(fā)布的器件在1.5V下具有低導(dǎo)通電阻，而且在柵極驅(qū)動(dòng)僅有1.2V的情況下也能導(dǎo)通。這樣MOSFET能夠使用手持設(shè)備中常見的低壓電源軌，省卻額外的電阻和用于P溝道負(fù)載切換的電壓源，從而簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，并能在N溝道負(fù)載切換中使兩次充電之間的電池工作時(shí)間更長(zhǎng)。

N溝道Si8802DB在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下的導(dǎo)通電阻為54mΩ、60mΩ、68mΩ、86mΩ和135mΩ。器件封裝的外形尺寸比僅次于它的最小器件小36%，在1.8V和1.5V下的導(dǎo)通電阻分別低5.5%和7.5%。

P溝道Si8805EDB在4.5V、2.5V、1.5V和1.2V下的導(dǎo)通電阻為68mΩ、88mΩ、155mΩ和290mΩ。Si8805EDB所占的電路板空間比僅次于它的最小P溝道器件少29%，在4.5V、2.5V下的導(dǎo)通電阻分別低17%和8%。Si8802DB和Si8805EDB的更低導(dǎo)通電阻能夠?qū)⒇?fù)載切換過(guò)程中的電壓降最小化，防止出現(xiàn)有害的欠壓閉鎖。

器件符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規(guī)定，及RoHS指令2002/95/EC。Si8805EDB的ESD保護(hù)為1500V。

新款Si8802DB和Si8805EDB TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。

VISHAY簡(jiǎn)介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富1,000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無(wú)源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。

MICRO FOOT®和TrenchFET®是Siliconix公司的注冊(cè)商標(biāo)。

新聞聯(lián)系人：

VISHAY

王真（Jenny Wang）

地址：上海市淮海西路 55 號(hào) 申通信息廣場(chǎng) 15 樓 D 座

電話：（8621）52585000-6052

傳真：（8621）52587979

Email：Jenny.wang@vishay.com

煜治時(shí)代信息咨詢（北京）有限公司

喬治（George Qiao）

地址：北京市朝陽(yáng)區(qū)關(guān)東店南街2號(hào)旺座中心東塔715室，郵編：100020

電話：（8610）52078015/8016

傳真：（8610）52078017

Email：George.qiao@geomatrixpr.com