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Vishay 推出的下一代D系列MOSFET具有諸如超低導(dǎo)通電阻、超低柵極電荷等高性能指標(biāo)

分類：產(chǎn)品新聞 日期：2012-05-03 10:50:20 來源：Vishay

　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導(dǎo)通電阻、超低柵極電荷和3A～36A電流，采用多種封裝。

　　今天發(fā)布的D系列MOSFET基于新的高壓條帶技術(shù)，使效率和功率密度達(dá)到新的水平。器件的條帶設(shè)計(jì)加上更小的裸片尺寸和端接，使柵極電荷比前一代方案低50%，同時(shí)提高了開關(guān)速度，降低了導(dǎo)通電阻和輸入電容。

　　400V、500V和600V器件的導(dǎo)通電阻分別為0.17Ω、0.13Ω和0.34Ω。超低的導(dǎo)通電阻意味著極低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，能夠在服務(wù)器和通信電源系統(tǒng)、焊接、等離子切割、電池充電器、熒光燈、高強(qiáng)度放電(HID)照明、半導(dǎo)體設(shè)備和電磁加熱的高功率、高性能開關(guān)電源應(yīng)用中節(jié)約能源。

　　D系列MOSFET中的400V、500V和600V器件的柵極電荷分別為9nC、6nC和45nC，具有最佳的柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積，該值是用在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的關(guān)鍵優(yōu)值系數(shù)(FOM)，400V、500V和600V器件的FOM分別為7.65 Ω-nC、15.6 Ω-nC和12.3 Ω-nC。

　　新的D系列MOSFET采用簡(jiǎn)單的柵極驅(qū)動(dòng)電路、非常耐用的本體二極管，易于設(shè)計(jì)到更緊湊、更輕、發(fā)熱更少的終端產(chǎn)品中。器件符合RoHS指令，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定，雪崩(UIS)定級(jí)讓器件能夠穩(wěn)定可靠地工作。

　　器件規(guī)格表：

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      1. 


      


      型號(hào)
      		


      電壓 (V)
      		


      ID @ 25 &ordm;C (A)
      		


      RDS(ON) @  max 10 V (&#8486;)
      		


      Qg 典型值 (nC)
      		


      封裝
      

      


      SiHP6N40D
      		


      400
      		


      6
      		


      1.0
      		


      9
      		


      TO-220
      

      


      SiHF6N40D
      		


      400
      		


      6
      		


      1.0
      		


      9
      		


      TO-220F
      

      


      SiHP10N40D
      		


      400
      		


      10
      		


      0.55
      		


      15
      		


      TO-220
      

      


      SiHF10N40D
      		


      400
      		


      10
      		


      0.55
      		


      15
      		


      TO-220F
      

      


      SiHG25N40D
      		


      400
      		


      25
      		


      0.17
      		


      44
      		


      TO-247
      

      


      SiHP25N40D
      		


      400
      		


      25
      		


      0.17
      		


      44
      		


      TO-220
      

      


      SiHU3N50D
      		


      500
      		


      3
      		


      3.0
      		


      6
      		


      IPAK/TO-251
      

      


      SiHD3N50D
      		


      500
      		


      3
      		


      3.0
      		


      6
      		


      DPAK/TO-252
      

      


      SiHD5N50D
      		


      500
      		


      5
      		


      1.5
      		


      10
      		


      DPAK/TO-252
      

      


      SiHP5N50D
      		


      500
      		


      5
      		


      1.5
      		


      10
      		


      TO-220
      

      


      SiHF5N50D
      		


      500
      		


      5
      		


      1.5
      		


      10
      		


      T-Max&reg;
      

      


      SiHU5N50D
      		


      500
      		


      5
      		


      1.5
      		


      10
      		


      IPAK/TO-251
      

      


      SiHP8N50D
      		


      500
      		


      8
      		


      0.85
      		


      15
      		


      TO-220
      

      


      SiHF8N50D
      		


      500
      		


      8
      		


      0.85
      		


      15
      		


      TO-220F
      

      


      SiHP14N50D*
      		


      500
      		


      14
      		


      0.40
      		


      30
      		


      TO-220
      

      


      SiHG14N50D*
      		


      500
      		


      14
      		

			
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