飛思卡爾的4兆位（Mbit）MRAM是一款快速的非易失性存儲器產(chǎn)品，具有極強的耐用性——結(jié)合了其它任何單個半導(dǎo)體存儲器都不具備的多種特性。該設(shè)備基于飛思卡爾的超過100項專利所保護(hù)的技術(shù)，包括跳變位（Toggle-bit）切換。
“隨著MRAM的商用，飛思卡爾率先將這種技術(shù)推向市場，從而帶來巨大的可能性和潛力，”Semico Research的Bob Merritt說，“為了率先推出MRAM，各公司之間的競爭異常激烈。這是飛思卡爾工程團(tuán)隊積極努力的重大成果。”
MRAM采用磁性材料，同時結(jié)合傳統(tǒng)的硅電路，使單個的高耐用性設(shè)備既具備SRAM的速度，又擁有閃存的非易失性。飛思卡爾成功地將該技術(shù)投入商用，將促進(jìn)新型電子產(chǎn)品的顯著改進(jìn)，包括規(guī)格、成本、功耗和系統(tǒng)性能方面的改進(jìn)。
“行業(yè)第一款MRAM產(chǎn)品的商業(yè)推廣是飛思卡爾技術(shù)專家所進(jìn)行的初創(chuàng)研究的重要里程碑。它進(jìn)一步表明了我們對于為客戶帶來突破性技術(shù)以應(yīng)對市場挑戰(zhàn)的承諾，” 飛思卡爾戰(zhàn)略和業(yè)務(wù)發(fā)展高級副總裁兼首席技術(shù)官 Sumit Sadana表示，“MRAM技術(shù)的獨特性能為我們目標(biāo)市場帶來大量令人興奮的應(yīng)用。”
飛思卡爾的第一款商用MRAM產(chǎn)品的名稱為MR2A16A，適用于多種商業(yè)應(yīng)用，包括聯(lián)網(wǎng)、安全、數(shù)據(jù)存儲、游戲和打印機等。該部件經(jīng)濟(jì)而又可靠，是替代battery-backed SRAM單元的理想產(chǎn)品。該設(shè)備還可用于cache buffers、configuration storage memories以及其它需要MRAM的速度、靈活性和穩(wěn)定性的應(yīng)用。