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技術頻道

用于三電平UPS逆變器的IGBT功率模塊

  紐倫堡,2008年7月8日-賽米控為現(xiàn)有SEMITOP®IGBT產品線推出一種新的拓撲結構,用于三電平逆變器。該結構將IGBT技術與較低的開關和傳導損耗相結合,與兩電平逆變器相比,損耗減少60%。與半橋模塊相比,該SEMITOP®模塊是專為低換流電感率而設計。DC/AC轉換效率得到了提高,可用于功率等級為5-80kVA的UPS。
  三電平逆變器是一種符合成本效益的解決方案,因為用一個單一模塊取代標準兩電平半橋結構中的兩個模塊。三電平逆變器在結構上由一系列串聯(lián)的IGBT來實現(xiàn),這樣有可能獲得更高的反向IGBT阻斷電壓。通過連接三個這樣的模塊,有可能實現(xiàn)一個完整的具有最高電氣和熱效率的三相三電平逆變器拓撲結構。由于其正弦輸出波形,有可能減少諧波和所需的輸出濾波器。與標準兩電平半橋逆變器相比,三電平逆變器的整體尺寸和成本都減少了25%。
  600V的IGBT反向阻斷電壓下,額定電流為20-150A。在電源應用中,模塊運行時的輸入功率在5-80kVA。用于三電平逆變器的IGBT有兩種封裝:SEMITOP®3(55x31mm2),用于額定電流為20-50A的模塊和SEMITOP®4(60x55mm2),用于額定電流為75-150A的模塊。
  SEMITOP®是一款絕緣的功率模塊,高度只有12mm。由于采用了無底板技術,可以被迅速安裝到復雜電路中。而且只需一顆螺絲即可將其固定在散熱器上,然后自動焊接到PCB上。壓接技術和單螺絲安裝確保了低熱阻,而無機械應力設計確保了高功率循環(huán)能力。單螺絲安裝使得安裝快捷。經過17種不同的認證和超過10000小時的測試,模塊性能得到了證實。
  用于三電平逆變器的SEMITOP®模塊。該結構將IGBT技術與較低的開關和導通損耗相結合,與兩電平逆變器相比,損耗減少60%。  
  關于賽米控:
  成立于1951年,總部位于德國的賽米控公司是一家在全球有3000名員工的家族式企業(yè)。賽米控遍布全球的35家子公司網絡能夠為客戶提供快速高效的現(xiàn)場服務。一家主要的市場研究機構IMS的調查結果表明,賽米控是二極管/晶閘管市場的領導者,并且占有全球34%的市場份額。
  產品:
  賽米控具有兩萬一千多種不同的功率半導體器件,產品涵蓋了芯片、分離二極管/晶閘管、功率模塊(IGBT/MOSFET/二極管/晶閘管)、驅動電路、保護元件以及集成子系統(tǒng)。
  應用:
  “SEMIKRONinside”已經是電氣傳動、風力發(fā)電、太陽能、電動汽車、焊機、電梯、電源、傳送帶和有軌電車等工業(yè)行業(yè)的一個品牌。作為電力元器件行業(yè)的革新者,賽米控很多先進的技術已經成為大家所公認的工業(yè)標準。方案解決中心的專門知識匯聚成一個統(tǒng)一的知識平臺,被用來為特定的應用和客戶需求開發(fā)和生產子系統(tǒng)。

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