突破現(xiàn)有CMOS工藝限制的晶體管技術(shù)
Freescale半導(dǎo)體公司的ITFET（Inverted T Channel-Field Effect Transistor)技術(shù)實現(xiàn)了在一個單一晶體管中結(jié)合了平面和垂直薄體結(jié)構(gòu)，克服了垂直多柵晶體管所面臨的許多設(shè)計和生產(chǎn)上的挑戰(zhàn)，有望開創(chuàng)高性能、低功耗、小體積的新一代半導(dǎo)體器件。
通過結(jié)合CMOS的穩(wěn)定性和垂直CMOS的低漏電流等優(yōu)點，該項技術(shù)結(jié)束了平面CMOS和垂直CMOS之間的爭論，在單一器件內(nèi)實現(xiàn)了兩者的綜合優(yōu)點。
由于在垂直溝道下的平面區(qū)混合了硅，并且增加了溝道寬度，ITFET的垂直區(qū)和平面區(qū)可提供增強的電流能力，可降低寄生電阻，增強垂直溝道的機械穩(wěn)定性。同傳統(tǒng)CMOS相比，該技術(shù)可實現(xiàn)多柵極、有更大的驅(qū)動電流，可降低漏電流，比其他平面薄體CMOS和垂直多柵CMOS具有更多優(yōu)點，如：更低的漏電流、更低的寄生電容、更高的導(dǎo)通電流等。該ITFET技術(shù)計劃應(yīng)用于基于45nm及以上工藝的高端器件。
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