Ramtron 中國服務中心

中國的汽車行駛記錄儀中的數(shù)據(jù)應該包括二個部分，一部分為汽車實時數(shù)據(jù)(存放汽車發(fā)生事故前后的數(shù)據(jù))，另一部分為汽車歷史數(shù)據(jù)(存放汽車和司機的行駛狀況)。汽車實時數(shù)據(jù)主要是用于分析事故發(fā)生的原因和事故的責任, 汽車歷史數(shù)據(jù)作為事故分析的參考依據(jù)和對汽車和司機的運行狀況考核，歷史數(shù)據(jù)是以當前汽車實時數(shù)據(jù)為依據(jù)。整個汽車行駛記錄儀記錄的是2 個輸入量(如速度,剎車)的狀況，其他可以根據(jù)廠商的要求存儲7 個開關量的數(shù)據(jù)(轉向燈,車門等)，比較高級的還會記錄發(fā)動機的溫度和其他的一些輸入量的狀況。由于行駛記錄儀的數(shù)據(jù)是如此重要，所以對存儲器的要求很高。

存儲歷史數(shù)據(jù)的存儲器大家都比較容易選擇，目前大容量的Flash 和U 盤，很多廠商都能提供。最難的是汽車的實時數(shù)據(jù)的存儲器比較難選擇，因為實時數(shù)據(jù)比歷史數(shù)據(jù)更為重要，而且要求掉電后數(shù)據(jù)能保存(發(fā)生事故時,汽車系統(tǒng)可能會沒有電源)，為了實時數(shù)據(jù)的準確性，要求由于輸入量的檢測周期越短越好,據(jù)目前我們了解,國標要求最大0.2 秒采集一次數(shù)據(jù),以20 秒為一個存儲單位, 實時數(shù)據(jù)需要存儲10 次20 秒的數(shù)據(jù),也就是說在實時數(shù)據(jù)需要存儲200 秒的數(shù)據(jù),到了200 后,將實時數(shù)據(jù)抽樣送入歷史記錄中,然后實時數(shù)據(jù)中的重新覆蓋,由此可見,在實時數(shù)據(jù)中的存儲器要求很高。

對儲器要求:
1)掉電后數(shù)據(jù)需要保存;2)擦寫數(shù)據(jù)多,3)可靠高.
目前實現(xiàn)這種要求的方式有以下幾種
1) SRAM+電池+電源管理IC +EEPROM
2) NVRAM
3) FRAM
下面是幾種方案的性能比較:
一 SRAM+電池+電源管理IC+EEPROM

由于EEPROM 和FLASH 的擦寫次數(shù)的限制,檢測的數(shù)據(jù)量不能實時寫入其中,只能存儲在SRAM中,當?shù)揭欢ǖ臅r間或檢測到掉電后在把數(shù)據(jù)寫入EEPROM和FLASH中,EEPROM存儲實時數(shù)據(jù),Flash 存儲歷史數(shù)據(jù).此方案的特點:價格可能比較便宜,但是性能很不可靠,發(fā)生事故時可能整個系統(tǒng)都沒有電,當系統(tǒng)檢測到掉電時,再把SRAM 的數(shù)據(jù)寫入EEPROM 和FLASH 中,已經沒有時間,而且汽車系統(tǒng)的環(huán)境比較復雜,我們都知道SRAM+電池的存儲方式很不可靠.所以目前很少有工程師這樣設計.

二)NVRAM+電池管理

NVRAM 有二種,一種為SRAM+電池型,另一種SRAM+EEPROM 型,不管那一種首先價格比較貴,大家都知道,黑匣子是一個民用品(3.5 噸以上的貨車和9 人以上的私家車都需要裝黑匣子),如果價格高,不利于推廣.
另外在性能方面,如果NVRAM 是SRAM+電池型,有電池用完的危險,我們都知道NVRAM 只能用3-5 年,以后可能電池沒有了,所以用之存儲數(shù)據(jù)也不可靠.如果NVRAM 是SRAM+EEPROM 型,由于此存儲器的原理是在工作時,MCU 操作的是SRAM,在檢測到掉電后在把數(shù)據(jù)存儲到EEPROM 中,這樣也存在發(fā)生事故時數(shù)據(jù)寫不進的危險.所以數(shù)據(jù)存儲也不是很可靠.
在了解第三種方案之前我們先了解FRAM 的基本特點:
美國Ramtron 公司鐵電存貯器（FRAM）的核心技術是鐵電晶體材料．這一特殊材料使得鐵電存貯產品同時擁有隨機存取記憶體(RAM) 和非易失性存貯產品的特性．產品的主要特點:
1. 擦寫次數(shù)多,至少達到1000億次.
2. 速度快,沒有寫等待時間.
3. 功耗低,讀寫電流150Ua,靜態(tài)電流小于1Ua
4. 讀寫無限次,在超過1000億次后,FRAM還可以做SRAM使用
5. 接口方式與IIC的EEPROM完全兼容,與并口SRAM兼容,與普通SPI接口的EEPROM兼容

三)FRAM 的存儲方式
由于FRAM 有SRAM 的速度和次數(shù),又有Flash 和EEPROM 的特點,掉電后數(shù)據(jù)能保存,同時多功能的FRAM 還有電源管理功能.所以用FRAM 首先可以簡化系統(tǒng)的電路,減低系統(tǒng)的成本.另外由于FRAM 的特點,提高系統(tǒng)的可靠性.
目前歐美和韓國等一些汽車工業(yè)發(fā)達國家的汽車黑匣子都是用FRAM 做他們的存儲器.

Ramtron 的簡介

Ramtron 公司成立于1984 年. 總部設在美國科羅拉多州的Colorado Springs 市. 公司于1992 年在美國納斯達克上市．Ramtron 是當今領先的鐵電存貯器技術和產品供應商．世界上決大部分重要的半導體存貯器制造商都向Ramtron 申請授權專利來做鐵電存貯器的研究. 他們包括 日本的Toshiba, Hitachi, Fujistu, Rohm, Asahi,韓國的Samsung, 和德國的Infineon。

在未來的幾年里, Ramtron 會繼續(xù)努力不斷降低成本.另外, 將在明年上半年推出兆級(Mbit) 密度的鐵電體. 大密度的鐵電體 (FRAM)將來會取代各類記億體,成為真正的超級存貯器”。