逆變?nèi)娖絀型和T型電路的比較分析

分類：研討培訓(xùn) 日期：2012-06-19 00:00:00 來源：西部工控網(wǎng)

　　隨著太陽能、UPS技術(shù)的不斷發(fā)展和市場的不斷擴大，對逆變器效率的要求也越來越被制造商所重視，因此三電平的拓撲結(jié)構(gòu)便應(yīng)運而生。眾所周知，與傳統(tǒng)兩電平結(jié)構(gòu)相比，三電平結(jié)構(gòu)除了使單個IGBT阻斷電壓減半之外，還具有諧波小、損耗低、效率高等優(yōu)勢。

　　目前針對三電平拓撲結(jié)構(gòu)有很多種，最常見的兩種拓撲結(jié)構(gòu)為三電平“I”型和三電平“T”型，接下來會對這兩種結(jié)構(gòu)從不同方面進行分析。

　　三電平電路示意圖

　　如圖1，2所示的兩種三電平電路圖，為了區(qū)分這兩種電路，根據(jù)四個開關(guān)管在線路圖中的的排列方式，我們將前者成為I字型，后者稱為T字型。

　　三電平電路與普通的半橋電路相比，因為具有了中點續(xù)流的能力，所以對改善輸出紋波，降低損耗都有很好的效果。

　　圖1. 三電平“1“字形電路示意圖

　　圖2. 三電平“T“字形電路示意圖

　　兩種電路的分析

　　1.芯片阻斷電壓不同

　　三電平I型電路中，4個IGBT管均承受相同的電壓，而T型Q1&Q4管承受兩倍的電壓。比如，若直流母線為600V時，I型4個IGBT管阻斷電壓為600V/650V, 而T型Q1&Q4管為1200V. 1200V的IGBT芯片比600V/650V芯片有更大的開關(guān)損耗及導(dǎo)通損耗，這意味著芯片的發(fā)熱更大，需要更多的硅芯片。而硅芯片的增加，成本也必然隨之增加。

　　然而在實際上，對于I型電路，當兩個開關(guān)管的電壓串聯(lián)承受2倍BUS電壓時，由于元件本身的差異，兩個開關(guān)管承受的的電壓不可能完全相同，因此，為了保證開關(guān)管的安全工作，I型電路中開關(guān)管也應(yīng)按照承受2倍BUS電壓去設(shè)計。

　　所以，從實際角度出發(fā)，在開關(guān)耐壓的選擇上，I型電路并沒有太大優(yōu)勢。

　　2.元件數(shù)量不同

　　從拓撲結(jié)構(gòu)圖中，很容易可以看出T型電路要比I型電路少兩個Diode，這對于減少空間有好處。

　　3.控制時序不同

　　三電平I型需先關(guān)斷外管Q1/Q4,再關(guān)斷內(nèi)管Q2/Q3,防止母線電壓加在外管上導(dǎo)致?lián)p壞;而T型則無時序上的要求。另外，對于I型拓撲，在驅(qū)動設(shè)計時需要有4個獨立電源;而對于T型共發(fā)射極拓撲，只需要3個獨立電源。

　　4.不同開關(guān)頻率下效率不同

　　I型與T型損耗有所差異，在功率因數(shù)接近1時，開關(guān)頻率增大(>16KHz),三電平I型(600V)損耗更低，效率更高;而開關(guān)頻率減少時(<16KHz)，三電平T型(1200V)損耗更低，效率更高。所以在設(shè)計逆變器系統(tǒng)的時候，應(yīng)根據(jù)不同的開關(guān)頻率去選擇一種效率高的拓撲結(jié)構(gòu)。

　　5.換流路徑不同

　　在T型拓撲中，外管與內(nèi)管之間的轉(zhuǎn)換路徑均為一致;而在I型拓撲中，換流路徑有所不同，分為短換流路徑與長換流路徑，所以用分立模塊做三電平I型拓撲時，必須要注意其雜散電感與電壓尖峰的問題。

　　綜上所述，三電平I型與T型互有優(yōu)勢, 通過本文的分析可以看出，T型和I型三電平電路比較，耐壓方面理論上I型電路優(yōu)于T型電路，然而從實際應(yīng)用角度分析，二者相差不大;損耗方面，T型要優(yōu)于I型;元件數(shù)量方面，T型少兩個Diode。因此，按照本文的分析，在較小損耗和減小空間方面，T型電路會比較有利;賽米控針對市場上不同的需求，同時可以給客戶提供兩種不同拓撲結(jié)構(gòu)的三電平模塊。

　　賽米控相關(guān)產(chǎn)品系列

　　對于三電平I型模塊，賽米控推出了SEMITOP、MINISKIIP、SEMITRANS、SKIM產(chǎn)品系列. 該模塊將IGBT技術(shù)與較低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗結(jié)合，可用于功率等級為5-80KVA的逆變器。其中SEMITOP、MINISKIIP、SKIM采用了SKIIP技術(shù)，無銅底板的功率模塊使芯片到散熱器的熱阻更低，同時具有結(jié)構(gòu)緊湊、安裝方便的優(yōu)勢。