導(dǎo)入65納米CPU 新版Xbox 360明年上市
晶圓代工大廠新加坡特許半導(dǎo)體公司日前宣布其65納米制程正式進(jìn)入驗(yàn)證階段,進(jìn)度符合預(yù)期,計(jì)劃在明(2007)年上半年投入量產(chǎn),微軟委由特許代工的新款Xbox 360處理器將是首款采用此尖端制程的產(chǎn)品。
Xbox 360處理器在導(dǎo)入65納米緣層上覆硅(Silicon on Insulator,簡稱SOI)制程后,不僅能大幅提升產(chǎn)能降低成本,還可有效減少芯片的發(fā)熱量及耗電量,這樣一來,玩家怨言頗多的主機(jī)散熱問題也有望得到改善。
因微軟官方目前并未對此發(fā)表任何評(píng)論,搭載新版處理器的Xbox 360何時(shí)上市,設(shè)計(jì)上是否會(huì)有變更之處等細(xì)節(jié)問題暫時(shí)還不得而知,有興趣的玩家不妨留意后續(xù)的相關(guān)報(bào)道。
現(xiàn)有的Xbox 360處理器由IBM及特許以90納米SOI制程量產(chǎn),基于IBM先進(jìn)的PowerPC架構(gòu),工作頻率為3.2 GHz,內(nèi)含1.65億個(gè)晶體管,擁有三個(gè)對稱的運(yùn)算核心。
Xbox 360處理器的每個(gè)運(yùn)算核心能同時(shí)硬件執(zhí)行兩個(gè)線程,并具備一個(gè)VMX-128向量運(yùn)算單元,共享1 MB二級(jí)緩存,CPU系統(tǒng)總線(Front Side Bus,F(xiàn)SB)傳輸帶寬為每秒21.6 GB (5.4Gbs per-pin),并利用eFUSE技術(shù)提供極高的可配置及可程序化能力。
<此信息未經(jīng)證實(shí) 僅供參考>
Xbox 360處理器在導(dǎo)入65納米緣層上覆硅(Silicon on Insulator,簡稱SOI)制程后,不僅能大幅提升產(chǎn)能降低成本,還可有效減少芯片的發(fā)熱量及耗電量,這樣一來,玩家怨言頗多的主機(jī)散熱問題也有望得到改善。
因微軟官方目前并未對此發(fā)表任何評(píng)論,搭載新版處理器的Xbox 360何時(shí)上市,設(shè)計(jì)上是否會(huì)有變更之處等細(xì)節(jié)問題暫時(shí)還不得而知,有興趣的玩家不妨留意后續(xù)的相關(guān)報(bào)道。
現(xiàn)有的Xbox 360處理器由IBM及特許以90納米SOI制程量產(chǎn),基于IBM先進(jìn)的PowerPC架構(gòu),工作頻率為3.2 GHz,內(nèi)含1.65億個(gè)晶體管,擁有三個(gè)對稱的運(yùn)算核心。
Xbox 360處理器的每個(gè)運(yùn)算核心能同時(shí)硬件執(zhí)行兩個(gè)線程,并具備一個(gè)VMX-128向量運(yùn)算單元,共享1 MB二級(jí)緩存,CPU系統(tǒng)總線(Front Side Bus,F(xiàn)SB)傳輸帶寬為每秒21.6 GB (5.4Gbs per-pin),并利用eFUSE技術(shù)提供極高的可配置及可程序化能力。
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