IR宣稱在功率器件技術(shù)上取得重大突破
國(guó)際整流器公司(IR)已經(jīng)開始利用專有的基于氮化鎵(GaN)的功率器件技術(shù)平臺(tái)制造原型器件，這種器件經(jīng)過(guò)5年的開發(fā)，據(jù)該公司稱將在電源轉(zhuǎn)換上推動(dòng)重大突破。
IR暗示，與現(xiàn)有一代硅基工藝相比，這種基于硅上氮化鎵的外延工藝技術(shù)提供了重大改進(jìn)，針對(duì)關(guān)鍵應(yīng)用的性能系數(shù)提高了10倍。
該公司表示，“它將在諸如計(jì)算、通信、汽車以及電器等各個(gè)市場(chǎng)領(lǐng)域的終端應(yīng)用中極大地提高性能并削減能耗?！?
IR總裁兼首席執(zhí)行官OlegKhaykin表示，“這種基于GaN的技術(shù)平臺(tái)和IP組合擴(kuò)大了我們?cè)诠β拾雽?dǎo)體器件上的領(lǐng)導(dǎo)地位，并為電源轉(zhuǎn)換開創(chuàng)了一個(gè)新時(shí)代，符合我們幫助客戶節(jié)省能源的核心使命?！?
他補(bǔ)充說(shuō)：“我們完全可以預(yù)料這一新的器件技術(shù)平臺(tái)對(duì)電源轉(zhuǎn)換市場(chǎng)的潛在影響，至少影響力與大約30年前IR推出的功率HEXFET的一樣大?！?
該公司表示，由這種工藝制成的產(chǎn)品將引發(fā)各個(gè)領(lǐng)域應(yīng)用的重大進(jìn)步，包括AC-DC電源轉(zhuǎn)換、DC-DC電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、照明、高密度音頻和汽車系統(tǒng)。
原型采用了高吞吐量、150毫米GaN-on-Si外延平臺(tái)以及后續(xù)的器件制造工藝，它們將在11月11-14日于慕尼黑舉行的電子展上向領(lǐng)先的OEM展示和供貨。
國(guó)際整流器公司還將在未來(lái)兩周內(nèi)舉行的若干主要行業(yè)活動(dòng)中高調(diào)展示這一平臺(tái)，包括：9月15-17日在舊金山舉行的DigitalPowerForum08；9月17-18日在SanJose舉行的EmbeddedPowerConference；9月22-24日在愛(ài)爾蘭科克舉行的PowerSupplyonAChip國(guó)際工作坊。
IR暗示，與現(xiàn)有一代硅基工藝相比，這種基于硅上氮化鎵的外延工藝技術(shù)提供了重大改進(jìn)，針對(duì)關(guān)鍵應(yīng)用的性能系數(shù)提高了10倍。
該公司表示，“它將在諸如計(jì)算、通信、汽車以及電器等各個(gè)市場(chǎng)領(lǐng)域的終端應(yīng)用中極大地提高性能并削減能耗?！?
IR總裁兼首席執(zhí)行官OlegKhaykin表示，“這種基于GaN的技術(shù)平臺(tái)和IP組合擴(kuò)大了我們?cè)诠β拾雽?dǎo)體器件上的領(lǐng)導(dǎo)地位，并為電源轉(zhuǎn)換開創(chuàng)了一個(gè)新時(shí)代，符合我們幫助客戶節(jié)省能源的核心使命?！?
他補(bǔ)充說(shuō)：“我們完全可以預(yù)料這一新的器件技術(shù)平臺(tái)對(duì)電源轉(zhuǎn)換市場(chǎng)的潛在影響，至少影響力與大約30年前IR推出的功率HEXFET的一樣大?！?
該公司表示，由這種工藝制成的產(chǎn)品將引發(fā)各個(gè)領(lǐng)域應(yīng)用的重大進(jìn)步，包括AC-DC電源轉(zhuǎn)換、DC-DC電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、照明、高密度音頻和汽車系統(tǒng)。
原型采用了高吞吐量、150毫米GaN-on-Si外延平臺(tái)以及后續(xù)的器件制造工藝，它們將在11月11-14日于慕尼黑舉行的電子展上向領(lǐng)先的OEM展示和供貨。
國(guó)際整流器公司還將在未來(lái)兩周內(nèi)舉行的若干主要行業(yè)活動(dòng)中高調(diào)展示這一平臺(tái)，包括：9月15-17日在舊金山舉行的DigitalPowerForum08；9月17-18日在SanJose舉行的EmbeddedPowerConference；9月22-24日在愛(ài)爾蘭科克舉行的PowerSupplyonAChip國(guó)際工作坊。
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