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集成電路用納電子器件模型研究取得新進(jìn)展

分類：行業(yè)資訊 日期：2007-10-29 00:00:00 來(lái)源：
　　北京大學(xué)教授何進(jìn)博士率領(lǐng)的微電子學(xué)研究院納太器件和電路研究組，在教育部留學(xué)回國(guó)人員科研啟動(dòng)基金和國(guó)家自然科學(xué)基金支持下，最近在CMOS集成電路用納器件模型領(lǐng)域取得重要突破，成果在國(guó)際電子電氣工程師協(xié)會(huì)相關(guān)領(lǐng)域最權(quán)威的學(xué)術(shù)期刊《電子器件雜志，IEEETrans.ElectronDevices》2007年9月刊的“納電子器件模型和模擬專輯（SpecialIssueonSimulationandModelingofNanoelectronicsDevices）上發(fā)表。這是該研究組繼去年在該權(quán)威期刊的“先進(jìn)模型和45納米模型挑戰(zhàn)”專輯（Specialissueonadvancedcompactmodelsand45-nmmodelingchallenging上發(fā)表納米CMOS器件物理基本解和MOS器件量子效應(yīng)模擬兩篇重要論文以來(lái)，在微納電子和集成電路器件模型領(lǐng)域取得的又一最新進(jìn)展。

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